Флеш-эс - бул жарым-жартылай өтүү технологиясынын жана электр менен кайра программалануучу эс тутумдун бир түрү. Ушул эле түшүнүктү электрондук схемада технологиялык жактан толук чечимдерди белгилөө үчүн колдонсо болот. Күнүмдүк жашоодо бул түшүнүк маалыматты сактоо үчүн катуу абалга келтирилген аппараттардын кеңири классына бекитилген.
Зарыл
USB флеш-диск, интернет байланышы бар компьютер
Нускамалар
1 кадам
Бул технологиянын иштөө принциби жарым өткөргүч түзүмүндөгү электр зарядынын обочолонгон аймактарындагы өзгөрүүлөргө жана каттоого негизделген. Мындай заряддын өзгөрүшү, башкача айтканда, аны жазуу жана өчүрүү булак менен анын чоң потенциалынын дарбазасынын ортосунда жайгашкан тиркеменин жардамы менен ишке ашат. Ошентип, транзистор менен чөнтөктүн ортосунда жука диэлектрик талаасында жетиштүү электр талаасы күч пайда болот. Тоннелдин таасири ушундайча пайда болот.
2-кадам
Эстутум ресурстары заряддын өзгөрүшүнө негизделген. Ал кээде анын түзүлүшүндөгү кайтарылгыс кубулуштардын кумулятивдик таасири менен байланыштуу. Ошондуктан, флеш-клетка үчүн жазуулардын саны чектелген. Бул көрсөткүч MLC үчүн көбүнчө 10 миң даана, ал эми SLC үчүн - 100 миң даана чейин.
3-кадам
Маалыматтарды сактоо убактысы, төлөмдөр канча убакытка чейин сакталаары менен аныкталат, аны көбүнчө үй продукттарын өндүрүүчүлөрдүн көпчүлүгү белгилешет. Ал он жылдан жыйырма жылга чейин ашпайт. Өндүрүшчүлөр биринчи беш жылдыкка гана кепилдик беришет. Бирок, MLC шаймандарынын SLC түзмөктөрүнө караганда маалыматтарды сактоо мөөнөтү кыска экендигин белгилей кетүү керек.
4-кадам
Флеш-эс тутумунун иерархиялык түзүлүшү төмөнкү факт менен түшүндүрүлөт. Жазуу жана өчүрүү, ошондой эле флешкадагы маалыматты окуу сыяктуу процесстер ар кандай көлөмдөгү чоң блоктордо жүрөт. Мисалы, өчүрүү блогу жазуу блогунан чоңураак, ал өз кезегинде окулган блоктон кичине. Бул флэш-эс тутумдун классикалыктан айырмалоочу өзгөчөлүгү. Натыйжада, анын бардык микросхемалары ачыктан-ачык иерархиялык түзүлүшкө ээ. Ошентип, эс тутум блокторго, ал эми секторлорго жана барактарга бөлүнөт.
5-кадам
Өчүрүүнүн, окуунун жана жазуунун ылдамдыгы башкача. Мисалы, өчүрүү ылдамдыгы бирден жүз миллисекундга чейин өзгөрүшү мүмкүн. Бул өчүрүлүп жаткан маалыматтын көлөмүнө жараша болот. Жазуу ылдамдыгы ондогон же жүздөгөн микросекундалар. Окуу ылдамдыгы адатта он наносекунданы түзөт.
6-кадам
Флеш-эс тутумун колдонуу өзгөчөлүктөрү анын өзгөчөлүктөрү менен шартталат. Эстутум клеткаларынын ар кандай саны бузулган микросхемаларды чыгарууга жана сатууга жол берилет. Бул пайызды төмөндөтүү үчүн, ар бир баракчага чакан кошумча блоктор берилет.
7-кадам
Флэш-эс тутумдун алсыз жери - бир баракта кайра жазуу циклдарынын саны чектелүү. Файл тутумдары көп учурда бир эле эс тутумга жазышкандыктан, кырдаал ого бетер оорлошот.
